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提示
下載近日,第十屆全國大學(xué)生集成電路創(chuàng)新大賽(簡(jiǎn)稱"集創(chuàng)賽")啟動(dòng)儀式在江蘇無錫順利舉行。作為教育部官方認(rèn)證的頂級(jí)學(xué)科競(jìng)賽,集創(chuàng)賽由工業(yè)和信息化部人才交流中心直接主辦,其賽事規(guī)模覆蓋全國所有省份及港澳臺(tái)地區(qū),400+高校,每年吸引超萬名學(xué)子同臺(tái)競(jìng)技,已成為衡量高校電子信息技術(shù)創(chuàng)新能力的黃金標(biāo)桿。


同惠電子作為本屆比賽出題企業(yè),受邀參加啟動(dòng)儀式。我們懷著誠摯之心,面向全國高等院校中半導(dǎo)體物理、器件物理、集成電路設(shè)計(jì)、微電子科學(xué)與工程等相關(guān)專業(yè)的師生發(fā)出邀約,誠邀大家參加本次賽事。
一、賽題背景

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代集成電路的核心基礎(chǔ)器件,是支撐微電子產(chǎn)業(yè)從微米級(jí)到納米級(jí)技術(shù)迭代的核心載體,其電學(xué)特性尤其是電容-電壓(CV)特性,直接決定了芯片的開關(guān)速度、功耗、可靠性等關(guān)鍵性能指標(biāo)。據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì),全球每年基于MOSFET架構(gòu)的半導(dǎo)體器件出貨量超萬億顆,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)控制、航天航空等關(guān)鍵領(lǐng)域,是半導(dǎo)體物理、器件物理、集成電路設(shè)計(jì)等學(xué)科理論體系的經(jīng)典研究對(duì)象。
本年度“同惠電子企業(yè)命題”以“半導(dǎo)體MOSFET器件CV特性分析”為核心賽題方向,引導(dǎo)參賽選手將半導(dǎo)體器件物理、集成電路工藝、測(cè)量測(cè)試技術(shù)等專業(yè)知識(shí)融會(huì)貫通。在深度剖析MOSFET器件CV特性的物理機(jī)制、測(cè)試原理與分析方法的過程中,強(qiáng)化理論認(rèn)知與工程實(shí)踐的結(jié)合,錘煉精密測(cè)量、數(shù)據(jù)分析、問題溯源的核心能力,為投身半導(dǎo)體器件研發(fā)、測(cè)試與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用筑牢堅(jiān)實(shí)的理論與實(shí)踐根基。

二、賽題解析
主辦方向參賽者統(tǒng)一提供MOSFET封裝器件、TH1992雙通道源表與數(shù)字電橋。
A)參賽者在固定頻率,漏源電壓變化的情況下分別測(cè)量Ciss、Coss、Crss,并在上位機(jī)軟件中繪制Ciss-Vds,Coss-Vds,Crss-Vds曲線。評(píng)委根據(jù)測(cè)量結(jié)果與器件Datasheet的一致性評(píng)分。
B)參賽者在1MHz的頻率和固定的漏源電壓的條件下測(cè)量Crss。由于測(cè)量回路中存在等效串聯(lián)電感,Crss測(cè)量結(jié)果或?yàn)樨?fù)數(shù)。參賽者需要分析造成測(cè)量不準(zhǔn)確的機(jī)理,設(shè)計(jì)補(bǔ)償算法。大賽評(píng)委根據(jù)參賽者的原理分析報(bào)告與補(bǔ)償校正后的Crss測(cè)量準(zhǔn)確度評(píng)審獲獎(jiǎng)名單。
三、全周期護(hù)航
1、大賽官網(wǎng) univ.ciciec.com
2、大賽公眾號(hào)
全國大學(xué)生集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽
大賽官網(wǎng)和公眾號(hào)將作為大賽官方新聞、通知發(fā)布渠道,請(qǐng)參賽團(tuán)隊(duì)在參賽期間保持關(guān)注。
3、大賽報(bào)名網(wǎng)址
https://www.saikr.com/vse/univ/ciciec/10